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GaAs／AlGaAs多量子阱结构的光电流与电子干涉
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中图分类号:

O471.1 O472

基金项目:

国家自然科学基金(编号:69976016)和山东省自然科学基金(编号:Y98G1 1107)资助项目


PHOTOCURRENT AND ELECTRON INTERFERENCE OF GaAs/AlGaAs MULTIQUANTUM WELL STRUCTURE
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    在77K温度，测量了GaAs/AlGaAs多量子阱结构的光电流，观测到在v=1589cm^-1，即λ=6.29μm附近存在一个强电流峰，分析认为，该电流峰与多量子阱势垒以上的电子干涉有关。根据电子干涉理论计算出的电流峰位置与实验结果非常一致。

    Abstract:

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引用本文

程兴奎 周均铭 等. GaAs／AlGaAs多量子阱结构的光电流与电子干涉[J].红外与毫米波学报,2001,20(4):318~320]. CHENG Xing Kui MA Hong Lei. PHOTOCURRENT AND ELECTRON INTERFERENCE OF GaAs/AlGaAs MULTIQUANTUM WELL STRUCTURE[J]. J. Infrared Millim. Waves,2001,20(4):318~320.]

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  • 最后修改日期:2000-05-16
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