MS界面输运特性对碲镉汞光伏器件I—V特性的影响
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TN215

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国家自然科学基金 (编号 1980 5 0 14 ),苏州大学江苏省薄膜材料 重点实验室开放课题部分资助项目&&


INFLUENCE OF MS INTERFACE TRANSPORT ON THE CURRENT-VOLTAGE CHARACTERISTIC OF MCT PV DEVICE
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    摘要:

    根据金属-碲镉汞接触的基本电流-电压关系,深入讨论了金属-半导体(MS)接触界面输运特性对碲镉汞光伏器件I-V特性的影响,并对实际器件的测量数据进行了分析比较。

    Abstract:

    The influence of MS transport on the current voltage characteristic of MCT PV device was investigated based on the current voltage characteristics of MCT Schottkey barrier. The data of some devices were also discussed.

    参考文献
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    引证文献
引用本文

胡晓宁 李言谨 等. MS界面输运特性对碲镉汞光伏器件I—V特性的影响[J].红外与毫米波学报,2001,20(3):165~168]. HU Xiao Ning LI Yan Jin FANG Jia Xiong. INFLUENCE OF MS INTERFACE TRANSPORT ON THE CURRENT-VOLTAGE CHARACTERISTIC OF MCT PV DEVICE[J]. J. Infrared Millim. Waves,2001,20(3):165~168.]

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  • 最后修改日期:2000-11-07
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