+高级检索
首页 > 过刊浏览>2000年第19卷第4期 >281-284
PDF HTML阅读 XML下载 导出引用 引用提醒
砷离子注入体材料碲汞的二次离子质谱分析
DOI:
作者:
作者单位:

作者简介:

通讯作者:

中图分类号:

TN213 TN304.26

基金项目:


SECONDARY ION MASS SPECTROMETRY CHARACTERIZATION OF ION-IMPLANTED ARSENIC DISTRIBUTION IN BULK HgCdTe
Author:
Affiliation:

Fund Project:

  • 摘要
    • |
  • 图/表
    • |
  • 访问统计
    • |
  • 参考文献
    • |
  • 相似文献
    • |
  • 引证文献
    • |
  • 资源附件
    • |
  • 文章评论
    摘要:

    用二次离子质谱（ＳＩＭＳ）分析了低能注放（１５０ｋｅＶ）砷在体材料碲镉汞中的分布和注入砷原子在碲镉汞中的热扩散情况，砷在碲镉汞中的分布表现出复杂的多元扩散机制。在缺陷密度（ＥＰＤ）比较低的碲镉汞材料中，砷扩散的主体符合恒定扩散系数的有限源扩散模型，呈现出浓度随深度的高斯分布。而在缺陷密度比较大的碲镉汞材料中，砷的分布呈多段指数型分布，表面出更复杂的多机制扩散特性。

    Abstract:

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

赵军 陆慧庆.砷离子注入体材料碲汞的二次离子质谱分析[J].红外与毫米波学报,2000,19(4):281~284]. ZHAO Jun, LU Hui-Qing, LI Xiang-Yang, FANG Jia-Xiong. SECONDARY ION MASS SPECTROMETRY CHARACTERIZATION OF ION-IMPLANTED ARSENIC DISTRIBUTION IN BULK HgCdTe[J]. J. Infrared Millim. Waves,2000,19(4):281~284.]

复制
分享
文章指标
  • 点击次数:
  • 下载次数:
  • HTML阅读次数:
  • 引用次数:
历史
  • 收稿日期:
  • 最后修改日期:
  • 录用日期:
  • 在线发布日期:
  • 出版日期:
文章二维码
您是第 位访问者
主管单位：中国科学院
主办单位：中国科学院上海技术物理研究所，中国光学学会
地址：上海市玉田路500号 电话：021-25051553
红外与毫米波学报 ® 2024 版权所有