CdTe钝化的HgCdTe非平衡载流子表面复合速度的实验研究
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TN304.2

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:江苏省教委自然科学基金(编号98KJB430001)资助项目


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    摘要:

    利用Ar^+束央求宙积技术在GgCdTe表面实现了低温CdTe介质薄膜的低温生长。在用-HgCdTe晶片表面分别用CdTe介质膜、HgCdTe自身阳极氧化膜进行表面钝化。利用光电导衰退测量技术测量了两种不同表面钝化的薄HgCdTe晶片的非平衡载流子(少数载流子)寿命,并通过光电导衰减信号波形的拟合,得到两种不同表面钝化的HgCdTe表面复合速度。实验结果表明,获得的CdTe/HgCdTe界面质量已

    Abstract:

    CdTe film was deposited on the HgCdTe crystalline surface under low temperature condition using Ar beam sputtering deposition technique. The surface of different areas of a HgCdTe wafer was passivated with CdTe film and anodic oxide film. The non equilibrium carriers lifetimes of the HgCdTe crystals of different surface passivants were obtained using photo conductivity decay technique. The surface recombination velocities of the HgCdTe surfaces passivated with the CdTe film and anodic oxide film were also worked out. The results show that the HgCdTe sample passivated with the sputtering CdTe film has an even better interface quality as compared with the HgCdTe sample passivated with the well developed anodic oxide technology.

    参考文献
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    引证文献
引用本文

周咏东 赵军. CdTe钝化的HgCdTe非平衡载流子表面复合速度的实验研究[J].红外与毫米波学报,2000,19(1):71~74]. ZHOU Yong-Dong.[J]. J. Infrared Millim. Waves,2000,19(1):71~74.]

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  • 最后修改日期:1999-04-04
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