利用质子注入和快速退火技术改变GaAs/AlGaAs 量子阱能级分布,使量子阱红外探测器的光电特性发生变化,在较大地移动了探测波长的同时,探测器的响应率、探测率以及暗电流特性也发生相应变化.在质子注入剂量为2.5?10
李娜.质子注入和快速退火对GaAs／AlGaAs量子阱红外探测器的影响[J].红外与毫米波学报,2000,19(1):25~28]. LI Na. INFLUENCE ON GaAs/AlGaAs QUANTUM WELL INFRARED PHOTODETECTOR OF PROTON IMPLAN TATION AND RAPID THERMAL ANNEALING[J]. J. Infrared Millim. Waves,2000,19(1):25~28.]
