用光荧光和时间分辨光谱技术研究了ＭＥＢ生长立方Ｉｎ１－ｘＧａ１－ｘＮ（ｘ＝０．１５０．２６）外延材料的稳态和瞬态发光特性。实验表明ＩｎＧａＮ发光主要来自局域激子发光，局域化是由合金无序造成的，相应局域化能量为６０ｍｅＶ左右。荧光衰退呈现双指数特性，快过程（５０ｐｓ，１２Ｋ）是自由激子的快速驰豫引起的，而慢过程（２００￣２７０ｐｓ，１２Ｋ）则对应局域激子发光，其荧光寿命随温度缓变反映了激子发光的强局