用硅离子注入SiO2层方法制备的纳米硅的光学性质
DOI:
作者:
作者单位:

作者简介:

通讯作者:

中图分类号:

TN304.12

基金项目:

国家自然科学基金!(编号: 69577017)


OPTICAL PROPERTIES OF NANOMETER SILICON PREPARED BY SILICON ION IMPLANTED INTO SiO_2 LAYERS
Author:
Affiliation:

Fund Project:

  • 摘要
  • |
  • 图/表
  • |
  • 访问统计
  • |
  • 参考文献
  • |
  • 相似文献
  • |
  • 引证文献
  • |
  • 资源附件
  • |
  • 文章评论
    摘要:

    报道了用硅离子注入热氧化生长的SiO2 层后热退火的方法制备纳米硅样品,并在室温下测量了样品的光致发光谱及其退火温度的关系.实验结果表明,在800℃以下退火的样品的发光是由于离子注入而引入SiO2 层的缺陷发光.在900℃以上退火,才观察到纳米硅的发生,在1100℃下退火,纳米硅发光达到最强.纳米硅的发光峰随退火温度升高而红移呈量子尺寸效应.在直角散射配置下,首次观察到纳米硅的特征拉曼散射峰,进一步证实了光致发光谱的结果.

    Abstract:

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

丁琨 李国华.用硅离子注入SiO2层方法制备的纳米硅的光学性质[J].红外与毫米波学报,1999,18(6):417~422]. DING Kun LI Guo Hua HAN He Xiang WANG Zhao Ping. OPTICAL PROPERTIES OF NANOMETER SILICON PREPARED BY SILICON ION IMPLANTED INTO SiO_2 LAYERS[J]. J. Infrared Millim. Waves,1999,18(6):417~422.]

复制
分享
文章指标
  • 点击次数:
  • 下载次数:
  • HTML阅读次数:
  • 引用次数:
历史
  • 收稿日期:
  • 最后修改日期:
  • 录用日期:
  • 在线发布日期:
  • 出版日期:
文章二维码