TN304.23 O472.3
国家自然科学基金
报道了采用红外椭圆偏振光谱术测量ＧａＡｓ体材料折射率，测量范围为２．５～１２．５μｍ，并将所得实验数据与理论计算和其它实验结果进行了对比，表明了实验结果的可靠性．
黄志明 季华美. GaAs体材料折射率红外椭圆偏振光谱研究[J].红外与毫米波学报,1999,18(1):23~25]. HUANG Zhi Ming JI Hua Mei CHEN Min Hui SHI Guo Liang CHEN Shi Wei CHEN Liang YaoDepartment of Physics Fudan University. Shanghai, China Received, revised CHU Jun Hao. STUDY ON THE REFRACTIVE INDEX OF GaAs BULK MATERIAL BY INFRARED SPECTROSCOPIC ELLIPSOMETRY[J]. J. Infrared Millim. Waves,1999,18(1):23~25.]
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