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分子束外延HgCdTe材料生长参数的实时监测研究
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TN213 TN304.054

基金项目:

国家杰出青年科学基金,上海市科学研究基金


REAL TIME MONITORING OF GROWTH PARAMETERS OF MBE GROWN HgCdTe
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    报道了用椭圆偏振技术和红外辐射测温技术对ＨｇＣｄＴｅ生长关键参数实时监测的结果，建立了ＨｇＣｄＴｅ材料在生长温度下的标准光学常数数据库，在研究中对生长过程中材料的发射率以及红外辐射强度进行了理论分析，为生长温度的实时精确控制提供了理论依据，并在实验上获得了小于±１℃的生长温度控制精度．

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引用本文

王善力,于梅芳,乔怡敏,杨建荣,巫艳,袁诗鑫,何力.分子束外延HgCdTe材料生长参数的实时监测研究[J].红外与毫米波学报,1998,17(4):287~291]. WANG Shan Li YU Mei Fang QIAO Yi Min YANG Jian Rong WU Yan YUAN Shi Xin HE Li. REAL TIME MONITORING OF GROWTH PARAMETERS OF MBE GROWN HgCdTe[J]. J. Infrared Millim. Waves,1998,17(4):287~291.]

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  • 最后修改日期:1997-01-24
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