对经２５０℃Ｐ型热处理获得的Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅＭＢＥ材料进行变温霍耳测量和理论拟合计算，由此得到ＨｇＣｄＴｅ－ＭＢＥ材料的受主浓度为２－３×１０＾１６ｃｍ＾－３，残余施主浓度为５×１０＾１５ｃｍ＾－３左右，两才相比显示材料的补偿度较低，拟合得到的汞空位受主能级为１５－１８ｍｅＶdisplay structure
方维政 杨建荣.非掺杂p型MBE—Hg1—xCdxTe材料的受主性质[J].红外与毫米波学报,1998,17(1):25~30]. FANG Wei-zheng, YANG Jian-rong, CHEN Xin-Qiang, WANG Shan-Li, HE Li. THE ACCEPTOR PROPERTIES OF UN-INTENTIONALLY DOPED p-TYPE MBE-GROWN Hg1-xCdxTe[J]. J. Infrared Millim. Waves,1998,17(1):25~30.]
复制
