低能离子束轰击碲镉汞制备pn结电学特性的研究
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TN213.06 TN304.26

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STUDY OF ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF HgCdTe pn JUNCTION FORMED BY LOW ENERGY ION BEAM MILLING
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    用低能离子束轰击工艺制备了3-5μm及8-10μm碲镉汞pn结,研究了它们的电流-电压及电容-电压特性,发现该pn结为缓变结,与通常认为的关于低能离子束轰击p型碲镉汞造成表面转型的机制主要是汞扩散的假说相符合。

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陆慧庆 李向阳.低能离子束轰击碲镉汞制备pn结电学特性的研究[J].红外与毫米波学报,1998,17(1):21~24]. LU Hui Qing ZHAO Jun LI Xiang YangDepartment of Optics, Shandong University, Jinan, Shandong, China Received, revised ZHOU Yong Dong FANG Jia Xiong. STUDY OF ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF HgCdTe pn JUNCTION FORMED BY LOW ENERGY ION BEAM MILLING[J]. J. Infrared Millim. Waves,1998,17(1):21~24.]

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  • 最后修改日期:1997-05-12
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