GeSi/Si应变超晶格退火及离子注入研究
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TN304.2 O471.4

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    用深能级瞬态谱(DLTS)研究退火及离子注入对分子束外延生长的GeSi/Si应变超晶格性质的影响,观察到3个与位错有关的深中心和1个表层内的深中心,退火和离子注入都使得这些深中心的浓度增加数倍,说明GeSi/Si应变超晶格不适应做过多的热处理.同时测定Pd+注入在GeSi/Si超晶格的杂质能级为EC=0.28eV,与体Si中的Pd杂质能级一致.

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引用本文

肖剑飞 封松林. GeSi/Si应变超晶格退火及离子注入研究[J].红外与毫米波学报,1997,16(5):321~324].[J]. J. Infrared Millim. Waves,1997,16(5):321~324.]

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