HgCdTe光导探测器的磁阻特性
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TN215

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THE MAGNETORESISTANCE PROPERTIES OF HgCdTe PHOTOCONDUCTIVE DETECTORS
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    测量了3个HgCdTe光导器件和一块液相外延生长HgCdTe薄膜材料的磁阻.用两种载流子模型的约化电导张量(RCT)过程对实验数据进行了分析,拟合结果与实验值符合得很好.

    Abstract:

    The magnetoresistance of three HgCdTe photoconductive detectors and one liquid phase epitaxially grown HgCdTe film was measured. The fitting results analyzed by a two carrier model of reduced conductivity tensor (RCT) scheme agree well with the experimental data.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

桂永胜 蔡毅. HgCdTe光导探测器的磁阻特性[J].红外与毫米波学报,1997,16(4):256~260]. Gui Yongsheng Chu Junhao Zheng Guozhen Guo Shaoling Tang Dingyuan. THE MAGNETORESISTANCE PROPERTIES OF HgCdTe PHOTOCONDUCTIVE DETECTORS[J]. J. Infrared Millim. Waves,1997,16(4):256~260.]

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