InAs自组织生长量子点的电子俘获势垒
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TN304.23 O471.1

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国家攀登计划,国家自然科学基金


ELECTRON CAPTURE BARRIER OF SELF ORGANIZED InAs QUANTUM DOTS
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    成功地用深能级瞬态谱(DLTS)研究了InAs自组织生长的量子点电学性质,获得2.5原子层InAs量子点电子基态能级在GaAs导带底下约0.13eV,该量子点在荷电状态发生变化时伴随有晶格弛豫,对应俘获势垒为0.32eV.本工作也证明可以把量子点类比深中心进行研究.

    Abstract:

    Deep level transient spectroscopy (DLTS)was applied successfully to characterize the electric properties of self organized InAs quantum dots.The energy of the ground state of 2.5 ML InAs quantum dots was obtained at about 0.13eV below the bottom of the conduction band of bulk GaAs,and there occurred the lattice relaxation associated with the change of charge state of quantum dots.The corresponding capture barrier energy of such dots for electrons is about 0.32eV.This work shows that the electric characteristics of quantum dots behave somewhat like deep centers and can be investigated by using deep level investigation methods.

    参考文献
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    引证文献
引用本文

陈枫 封松林. InAs自组织生长量子点的电子俘获势垒[J].红外与毫米波学报,1997,16(4):241~244]. Chen Feng ) Feng Songlin ) Yang Xizhen ) Wang Zhiming ) Wang Hui ) Deng Yuanming ). ELECTRON CAPTURE BARRIER OF SELF ORGANIZED InAs QUANTUM DOTS[J]. J. Infrared Millim. Waves,1997,16(4):241~244.]

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