O471.3
国家攀登计划资助,国家自然科学基金
用光荧光（ＰＬ）和时间分辨光谱（ＴＲＰＬ）技术研究了ＧａＡＳ／ＡＩＧａＡＳ量子阱结构中荧光上升时间τｆ和激子谱线半宽（ＦＷＨＭ）随阱宽的变化关系，发现在窄阱中，τｆ，随阱宽的变化关系与宽阱时的情况恰恰相反，在窄阱中τｆ随着阱宽的减小而增加，归结为激子二维特性的退化导致声学声子对激子的散射作用减弱造成的．同时观测到窄阱中谱线半宽随着阱宽减小而增加，这也是因为激子特性由维二维向三维转化造成的．
袁之良 许继宗. GaAs／AlGaAs窄量子阱中激子二维特性的退化[J].红外与毫米波学报,1995,14(4):257~262]. Yuan Zhiliang, Xu Jizong, Zheng Baozhen, Xu Zhongying. DEGENERATION OF QUASI-TWO-DIMENSIONAL PROPERTIES OF EXCITONS IN NARROW GaAs/AIGaAs QUANTUM WELLS[J]. J. Infrared Millim. Waves,1995,14(4):257~262.]
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