MOCVD—Hg1—xCdxTe/CdTe/GaAs外延材料红外吸收光谱研究
中图分类号:

TN213

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    从理论上完成对MOCVD工艺生长的HgCdTE/CdTe/GaAs材料的透过率、吸收边和相干行为的计算。结果表明光的干涉条纹与外延层HgCdTe和缓冲层CdTe的总厚度相关,其透过率不能直接反映材料的内在质量。计算结果还表明,外延材料组份的均匀性对红外光谱的吸收边有很大的影响。运用理论计算对实验中测得的光谱曲线进行了分析,发现MOCVD工艺存在着一种部分过饱和态的生长机制,并发现负禁带HgTe薄膜

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引用本文

杨建荣 何进. MOCVD—Hg1—xCdxTe/CdTe/GaAs外延材料红外吸收光谱研究[J].红外与毫米波学报,1994,13(3):191~198].[J]. J. Infrared Millim. Waves,1994,13(3):191~198.]

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