Ge和GaAs线膨胀系数和能隙的温度关系
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O471.5

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TEMPERATURE DEPENDENCE OF THE LINEAR THERMAL EXMNSION COEFFICIENT AND THE BAND GAP IN GERMANIUM AND GALLIUM ARSENIDE
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    用3个特征频率的爱因斯坦模型,以Gruneisen参数γi和约化的电子-声子耦合强度(g^2F)Wi为参数,较好地拟事子Ge和GaAs的线膨胀系数与能隙的温度关系的实验曲线,结果表明TA的声子的负的Gruneisen参数是引起低温区Ge和GaAs的线膨胀系数反常的原因,同时,Ge和GaAs的价带项状态的(g^2F)wi为正值,而导带底状态的相应量为负值。

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引用本文

陆栋 王利民. Ge和GaAs线膨胀系数和能隙的温度关系[J].红外与毫米波学报,1994,13(3):173~180]. Lu Dong, Wang Limin. TEMPERATURE DEPENDENCE OF THE LINEAR THERMAL EXMNSION COEFFICIENT AND THE BAND GAP IN GERMANIUM AND GALLIUM ARSENIDE[J]. J. Infrared Millim. Waves,1994,13(3):173~180.]

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