超晶格电子辐照缺陷的亚稳态特性
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O471.4

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METASTABLE CHARACTERISTICS OF ELECTRON IRRADIATION-INDUCED DEFECTS IN SUPERLATTICES
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    用深能级瞬态谱(DLTS)系统地研究了GaAs(50A)/GaAlAs(50A)起晶格中的电子辐照缺陷,证明其亚稳态特性的存在,对其恢复温度、转变条件进行了研究,指出在体材料中不能观察到电子辐照缺陷亚稳态的原因。

    Abstract:

    Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS) was used to study the irradiation-induced defects in GaAs (50A)/GaAlAs (50A) superlattice. The existence of metastability of such defects was demonstrated, and their transition temperature was studied. The reason why these characteristics can not be observed in the bulk materials is pointed out.

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    引证文献
引用本文

封松林 周洁.超晶格电子辐照缺陷的亚稳态特性[J].红外与毫米波学报,1994,13(3):161~164]. Feng Songlin, Zhou Jie, Lu Liwu. METASTABLE CHARACTERISTICS OF ELECTRON IRRADIATION-INDUCED DEFECTS IN SUPERLATTICES[J]. J. Infrared Millim. Waves,1994,13(3):161~164.]

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