9μmp^+—GexSi1—x/p—Si异质结内光电红外探测器
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TN215

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    用分子束外延方法生长了p^+-GexSi1-x/p-Si异质结,并用平面工艺制成了内光电红外探测器,器件截止响应波长达9μm,在52K时,Rv500K=3.3×10^3V/W。

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龚大卫 周涛.9μmp^+—GexSi1—x/p—Si异质结内光电红外探测器[J].红外与毫米波学报,1994,13(2):149~152].[J]. J. Infrared Millim. Waves,1994,13(2):149~152.]

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