砷化镓中EL2深能级结构模型的晶格振动态密度
DOI:
作者:
作者单位:

作者简介:

通讯作者:

中图分类号:

TN304.23

基金项目:


THE DENSITIES OF VIBRATIONAL STATE FOR CONFIGURATION MODELS OF DEEP LEVEL NATIVE DEFECT EL2 IN GaAs
Author:
Affiliation:

Fund Project:

  • 摘要
  • |
  • 图/表
  • |
  • 访问统计
  • |
  • 参考文献
  • |
  • 相似文献
  • |
  • 引证文献
  • |
  • 资源附件
  • |
  • 文章评论
    摘要:

    介绍了目前比较流行的两种砷化镓EL2深能级结构模型,即Bourgoinde的As_(Ga)-As_i对模型和邹元爔的As_(Ga)V_(As)V_(Ga)三元络合物模型.分别计算了这两个模型的晶格振动态密度.为EL2深能级结构的最终确定提供了一些有用的信息.

    Abstract:

    Two current configuration models of deep level native defect EL2 in GaAs, i.e. pair model As_(Ga)-As_i of Bourgoin and ternary complex As_(Ga)V_(As)V_(Ga) of Zou Yuanxi are in- troduced. The densities of vibrational state for these two models are calculated. The differ- ence between two kinds of density of state will provide useful information for final identifi- cation of the configuration of EL2.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

徐文兰.砷化镓中EL2深能级结构模型的晶格振动态密度[J].红外与毫米波学报,1992,11(5):371~374]. Xu Wenlan. THE DENSITIES OF VIBRATIONAL STATE FOR CONFIGURATION MODELS OF DEEP LEVEL NATIVE DEFECT EL2 IN GaAs[J]. J. Infrared Millim. Waves,1992,11(5):371~374.]

复制
分享
文章指标
  • 点击次数:
  • 下载次数:
  • HTML阅读次数:
  • 引用次数:
历史
  • 收稿日期:
  • 最后修改日期:
  • 录用日期:
  • 在线发布日期:
  • 出版日期:
文章二维码