TN304.23
复旦大学应用表面物理国家实验室资助
采用电容耦合法测量了Ge_xSi_(1-x)/Si应变层超晶格在不同温度下的光伏特性.在Ⅱ型能带排列的样品中观测到价带-导带子带和价带子带-导带光跃迁的4个峰.对所有样品测得的光伏截止波长都比理论预期值小.还对光电压随温度的变化作了初步解释.
朱文章 刘士毅. GexSi1—x／Si应变层超晶格光伏特性研究[J].红外与毫米波学报,1992,11(2):134~138]. Zhu Wenzhang, Liu Shiyi. INVESTIGATION ON PHOTOVOLTAIC CHARACTERISTICS OF Ge_xSi_(1-x)/Si STRAINED-LAYER SUPERLATTICES[J]. J. Infrared Millim. Waves,1992,11(2):134~138.]
