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含氮直拉硅中复合浅施主的光热电离光谱研究
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TN304.12

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PHOTOTHERMAL IONIZATION SPECTRA OF SHALLOW COMPLEX DONORS IN Cz-Si DOPED WITH NITROGEN
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    报道N型含氮直拉硅单晶的光热电离光谱(PTIS)除观察到P的谱线系列外,还观察到三个与氮、氧有关的复合型浅施主中心D(N-O)的谱线系,首次报道了它们3p_±以上的谱线位置,并精确测定了其电离能为36.16meV、36.41meV和37.37meV。变温分析表明,它们不是源于同一化学中心的基态分裂,而是独立的复合施主中心。

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引用本文

胡灿明 祁明维.含氮直拉硅中复合浅施主的光热电离光谱研究[J].红外与毫米波学报,1991,10(5):327~331]. HU CANMIN, HUANG YEXIAO, YE HONGJUAN, SHEN XUECHU. PHOTOTHERMAL IONIZATION SPECTRA OF SHALLOW COMPLEX DONORS IN Cz-Si DOPED WITH NITROGEN[J]. J. Infrared Millim. Waves,1991,10(5):327~331.]

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