——用PECVD技术在低温、低压和低功率密度条件下获得了优质氮氧化硅(Si_xO_yN_x)薄膜,并成功地应用于InSb-MIS单元器件的研制.X光电子能谱和红外光谱分析表明Si_xO_yN_z膜具有复杂的空间结构.
於伟峰,李炳宗,李孔宁,陈永平,张勤耀,龚雅谦. InSb—MIS器件中PECVD氮氧化硅栅介质膜的研究[J].红外与毫米波学报,1989,8(6):].[J]. J. Infrared Millim. Waves,1989,8(6).]
