研究了辐射热与焦尔热并存时芯片中的温度分布,结果表明:只有作者提出的“非波动成份”才对致冷有贡献,功率为Q=4abλ(R~2+C~2_(01))~(1/2){1-k~2/4-15/64(k~4)+…},辐射热与焦尔热之间存在相互作用,其度量因子是k=(RC_(01))/(R~2+C~2_(01))。还分析了辐射热的频率响应特性。