在电阻率为6～8Ω·cm的N型<100>硅衬底上热生长1μm厚的SiO_2层,用LPCVD方法淀积0.5μm厚的多晶硅层,然后用束斑直径为40μm、功率为5W的Ar~+激光束对样品再结晶,激光扫描速率为5cm/s,衬底温度为550℃。在上述条件下,SOI薄层发生了熔化并再结晶的过程。在这一过程中,由于SiO_2绝缘层的热膨胀系数比硅小很多,因此SOI薄
冷静民,钱佑华,林成鲁,方芳. SOI结构激光再结晶薄层中应力的喇曼光谱研究[J].红外与毫米波学报,1987,6(3):].[J]. J. Infrared Millim. Waves,1987,6(3).]
