对ZnS薄膜进行了深入的研究,发现HgCdTe表面经抛光、腐蚀及钝化处理后,ZnS-HgCdTe界面过渡区内缺Cd、Hg,而在HgCdTe表面预先阳极氧化一层氧化膜能改善过渡区状况。在俄歇电子能谱(AES)和X射线电子能谱(XPS)的测量过程中对元素的灵敏度因子进行修正,使两者结果趋于一致。
严申生,陈宜方,司承才. ZnS-HgCdTe钝化膜表面及界面的研究[J].红外与毫米波学报,1987,6(2):].[J]. J. Infrared Millim. Waves,1987,6(2).]
