本文介绍P型锗红外非线性饱和吸收的实验研究。考虑了锗中轻、重空穴价带的能带结构并利用轻、重空穴价带的复合态密度,由电极化率的虚部推得类似于非均匀展宽两能级系统模型的饱和吸收具有的形式。分别求出α_0和I_■与半导体参量和入射光频率之间的定量关系,计算结果与实验符合较好。
王威礼,周赫田,朱印康,邢启江. P型锗中价带间跃迁的饱和现象[J].红外与毫米波学报,1986,5(6):].[J]. J. Infrared Millim. Waves,1986,5(6).]
