本文测量了热壁外延CdTe/(111)CdTe薄膜的荧光光谱,并与CdTe体材料的荧光光谱进行了比较,证实了热壁外延CdTe/(111)CdTe薄膜具有很高的质量。实验所用热壁外延CdTe薄膜的生长条件如下:衬底CdTe用Bridgman方法生长,晶向为(111),经机械抛光、化学机械抛光以及(酒精+Br_2)溶液腐蚀。外延之前,衬底在超高真空中在350℃温度下热处理。外延时,使用单个CdTe源,温度为470～550℃,衬底温度