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用水平汽相输运方法生长CdTe晶体
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    N.Yellin等采用闭管汽相输运技术获得了组份高度均匀,电阻率高和杂质密度低的晶体。但仍然存在着生长速率慢的弱点,生长的晶粒通常仅有250mm~3,Akutag和Zanio修改了piper-polish技术也仅得到了3cm~3的CdTe晶体。本文把原先自行设计的PbSnTe水平闭管汽相输运连续测速装置应用到CdTe晶体上

    Abstract:

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引用本文

谢钦熙.用水平汽相输运方法生长CdTe晶体[J].红外与毫米波学报,1986,5(5):].[J]. J. Infrared Millim. Waves,1986,5(5).]

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