PN结深度是制备半导体器件的所需重要参数之一。要测量结深,通常须把结剖面显露出来;一般采用的化学染色法,对于很多半导体都是适用的,并已成功地用于PN结研究,但是很难显示InSb的结剖面。IuSb晶片在KOH、NaOH等电解液中阳极氧化时,其氧化速率与样品掺杂浓度密切
苏培超.阳极氧化法显示InSbPN结剖面[J].红外与毫米波学报,1986,5(5):].[J]. J. Infrared Millim. Waves,1986,5(5).]
