外延生长采用水平滑动式液相外延法。衬底为掺Ge的InSb单晶片。母液中掺Te,浓度10~(18)～10~(19)/cm~3。用微量回熔线性冷却工艺,基本解决了母液和基片的浸润问题。并获得符合要求的外延层厚度。对这一工艺在420℃下的生长动力学进行研究,从实验上得出生长速率和时间的关系为V∝t~(1.67),因此界面过程对生长也有一定的影响。霍尔测量表