工作于77K的8～14μm的HgCdTe光导器件,在2π视场300K背景下,器件的性能受背景限制。采用冷屏蔽以减小视场,可以使D_λ~*显著提高。本文利用我们导出的更为严格的光导器件探测率公式,选取合适的材料参数,计算和分析了在小视场情况下HgCdTe光导器件的探测率。
刘兆鹏,徐国森.小视场、低背景下HgCdTe光导器件的性能[J].红外与毫米波学报,1986,5(5):].[J]. J. Infrared Millim. Waves,1986,5(5).]
