Hg_(1-x)Cd_xTe材料是一种缺陷半导体,它既可通过控制缺陷成结,也可用掺杂方法成结。掺杂的方法又有扩散及离子注入两种。对不同形式的Hg_(1-x)Cd_xTe PN结的性能进行研究,将有助于对Hg_(1-x)Cd_xTe PN结的物理过程的理解。另一方面,平面工艺又是研制红外焦平
林和,陈泉森,杨秀珍. Hg_(1-x)Cd_xTe平面型In扩散及Hg扩散PN结的交流特性[J].红外与毫米波学报,1986,5(5):].[J]. J. Infrared Millim. Waves,1986,5(5).]
