超晶格材料具有相应的合金系统所不具备的独特的光电特性、其性质取决于组成超晶格的材料组分和周期性厚度。分子束外延(MBE)和激光辅助淀积与退火技术(LADA)是两种现实的碲镉汞超晶格生长技术。外延生长EgTe/CdTe超晶格系统时必须考虑下列特殊
严隽达.碲镉汞超品格材料制备工艺的剖析[J].红外与毫米波学报,1986,5(5):].[J]. J. Infrared Millim. Waves,1986,5(5).]
