在HgCdTe晶体的LPE生长过程中,汞的挥发将造成母液成分与工艺条件的不断变化,其结果甚至导致整个长晶工艺的失败。本工艺的特点是使汞蒸气压在LPE长晶管内持续地进行回流,从而达到维持母液内汞原子含量不变的目的。
陈新强,沈寿珍,俞振中,金刚. HgCdTe低压回流液相外延生长[J].红外与毫米波学报,1986,5(5):].[J]. J. Infrared Millim. Waves,1986,5(5).]
