本研究首先将载流子浓度为1×10~(15)cm~(-3)的N型<111>和P型<100>晶向的InSb材料磨抛,然后给予适当的表面处理,分别经AGW溶液恒流阳极氧化或PECVD法生长SiO_2膜,而后由电子束蒸发铝电极,组成MIS结构,在77K暗场下用C-V技术进行了电学测量和分析。指出阳极氧化与InSb界面有较高的负界面电荷(典型值为-1.0×10~(12)cm~(-2)),膜