Hg_(1-x)Cd_xTe半导体的导带电子有效质量
DOI:
作者:
作者单位:

作者简介:

通讯作者:

中图分类号:

基金项目:


Author:
Affiliation:

Fund Project:

  • 摘要
  • |
  • 图/表
  • |
  • 访问统计
  • |
  • 参考文献
  • |
  • 相似文献
  • |
  • 引证文献
  • |
  • 资源附件
  • |
  • 文章评论
    摘要:

    根据Hg_(1-x)Cd_xTe本征吸收光谱拟合计算获得的能带参数,利用Kane模型得到导带底电子有效质量的计算公式:(m_0~*/m_0)=0.05966E_g(E_g 1)/(E_g 0.667)。再根据(m~*/m_0)=(m_0~*/m_0)((1 8P~2K~2)/3E_g~2)~(1/2),可以计算波矢为k处的导带电子有效质量,计算结果与实验结果符合较好。

    Abstract:

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

褚君浩. Hg_(1-x)Cd_xTe半导体的导带电子有效质量[J].红外与毫米波学报,1985,4(6):].[J]. J. Infrared Millim. Waves,1985,4(6).]

复制
分享
文章指标
  • 点击次数:
  • 下载次数:
  • HTML阅读次数:
  • 引用次数:
历史
  • 收稿日期:
  • 最后修改日期:
  • 录用日期:
  • 在线发布日期:
  • 出版日期:
文章二维码