测量半导体材料中氧含量的微区分布,需要9.1μm附近、基模、1W左右且支线稳定、结构紧凑的CO_2激光器。本文对这种激光器的设计方案进行了实验研究。
何懋麒,王国益,赵有源,高如芳,王兆永.用于测量半导体材料氧含量的9.1μmCO_2激光器[J].红外与毫米波学报,1985,4(4):].[J]. J. Infrared Millim. Waves,1985,4(4).]
