简并Hg_(1-x)Cd_xTe半导体的费密能级和Burstein-Moss效应(详细摘要)
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    本文讨论了Hg_(1-x)Cd_xTe窄禁带半导体在费密能级筒并情况下,本征载流子浓度计算公式的应用,并计及导带电子浓度的非抛物带修正因子,计算了简并Hg_(1-x)Cd_xTe半导体的费密能级。本文还在77~300K温度范围内测量了组份为x=0.165、0.170、0.194的Hg_(1-x)Cd_xTe薄样品的本征吸收光谱,观察到明显的Burstein-Moss移动。实验所得光学禁带宽度与费密能级计算结果一致。

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引用本文

褚君浩.简并Hg_(1-x)Cd_xTe半导体的费密能级和Burstein-Moss效应(详细摘要)[J].红外与毫米波学报,1985,4(1):].[J]. J. Infrared Millim. Waves,1985,4(1).]

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