本文报道NTD CZ Si从室温到1200℃退火的红外吸收光谱,研究了600～1300cm~(-1)波数区的一些中子辐照缺陷和氧与碳的红外吸收峰的退火行为和本质,以及中子辐照缺陷与间隙氧随退火温度变化的关系。
孟祥提,阮竹.热处理NTD CZ Si的红外吸收光谱[J].红外与毫米波学报,1985,4(1):].[J]. J. Infrared Millim. Waves,1985,4(1).]
