微晶硅中的STAEBLER WRONSKI效应
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    本文研究了用辉光放电热分解硅烷方法淀积的微晶-Si:H薄膜的Steabler Wronski(SW)效应。用改变高频功率的方法,获得从非晶到具有不同晶粒大小的微晶薄膜。晶粒尺度用小角散射方法,由Guinier公式算出。样品采用蒸铝条状共面电极结构。测量电导所加电场约为270V/cm,保证良好的欧姆接触。样品在干氮保护下,经180℃,40分钟退

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引用本文

刘湘娜,许明德.微晶硅中的STAEBLER WRONSKI效应[J].红外与毫米波学报,1984,3(4):].[J]. J. Infrared Millim. Waves,1984,3(4).]

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