碳是未故意掺杂的高阻CZ-GaAs中主要的残余杂质之一。Newman等人研究了GaAs中C所引起的红外局域模振动吸收;Theis报道了液氮温度下C局域模的高分辨光谱,并根据同位素效应提出F=582cm~(-1)处的精细结构是C_(AS)所引起的。我们研究了直拉液封法生长的高阻GaAs单晶中C所引起的局域模吸收。首次报道了吸收峰的频率和半高宽随温度的变化(T=25～300K)并对GaAs中出现这种半高宽极小(<0.1cm~(-1))的局域模锐峰的机
江德生,宋春英,郑捷飞,许振嘉. GaAs中C的局域模振动吸收研究[J].红外与毫米波学报,1984,3(4):].[J]. J. Infrared Millim. Waves,1984,3(4).]
