测量了用液相外延技术制备的(P)Pb_(0.8)Sn_(0.2) Te-(n)PbTe异质结二极管的电容-电压特性,据此计算了结区附近PbTe外延层中的净施主浓度分布。发现零偏压下PbTe外延层中空间电荷区边界的净施主浓度(N_o)强烈地依赖于液相外延的生长温度(T_(ep)),认为它是由于液相外延生长过程中缺陷的互扩散所造成。