GaAs基InAs/AlSb二维电子气结构的生长优化
作者:
作者单位:

西安电子科技大学 微电子学院,西安电子科技大学 微电子学院,中国人民解放军陆军工程大学石家庄校区,导弹工程系,石家庄,西北大学 光子学与光子技术研究所,西安,中国科学院半导体研究所 超晶格实验室,中国科学院半导体研究所 超晶格实验室

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中图分类号:

基金项目:

国家重点研发计划(2016CBYFB0402403)


Growth optimization of GaAs-based InAs/AlSb 2DEG structure
Author:
Affiliation:

School of Microelectronics,Xidian University,Xi’an,School of Microelectronics,Xidian University,Xi’an,Department of Missile Engineering, Shijiazhuang Campus, Army Engineering University, Shijiazhuang,Institute of Photonics and Photon-Technology, Northwest University, Xi’an,State Key Laboratory for Superlattices,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,State Key Laboratory for Superlattices,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences

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    摘要:

    采用分子束外延设备 (MBE) , 外延生长了InAs/AlSb二维电子气结构样品.样品制备过程中, 通过优化AlGaSb缓冲层厚度和InAs/AlSb界面厚度、改变AlSb隔离层厚度, 分别对比了材料二维电子气特性的变化, 并在隔离层厚度为5nm时, 获得了室温电子迁移率为20500cm2/V·s, 面电荷密度为2.0×1012/cm2的InAs/AlSb二维电子气结构样品, 为InAs/AlSb高电子迁移率晶体管的研究和制备提供了参考依据.

    Abstract:

    In As/Al Sb tw o-dimensional electron gas ( 2 DEG) structures w ere successfully grow n by M BE equipment. 2 DEG characteristics of samples w ere improved by optimizing the the thickness of Al Ga Sb buffer layer, the thickness of In As/Al Sb interface layer, and the thickness of Al Sb spacer. The In As/Al Sb 2 DEG structure sample w ith an electron mobility of 20 500 cm2/V·s and a sheet electron density of 2. 0 × 1012/cm2 w ere achieved w hen the thickness of Al Sb spacer is fixed at 5 nm. It provides a reference for the research and fabrication of In As/Al Sb HEMT.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

崔晓然,吕红亮,李金伦,苏向斌,徐应强,牛智川. GaAs基InAs/AlSb二维电子气结构的生长优化[J].红外与毫米波学报,2018,37(4):385~388]. CUI Xiao-Ran, LYU Hong-Liang, LI Jin-Lun, SU Xiang-Bin, XU Ying-Qiang, NIU Zhi-Chuan. Growth optimization of GaAs-based InAs/AlSb 2DEG structure[J]. J. Infrared Millim. Waves,2018,37(4):385~388.]

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  • 收稿日期:2017-11-28
  • 最后修改日期:2018-02-27
  • 录用日期:2018-04-03
  • 在线发布日期: 2018-08-30
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