(英)界面极化层引起P(VDF-TrFE)电容器的电容-电压的不对称
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中科院上海技术物理研究所,中科院上海技术物理研究所,中科院上海技术物理研究所,中科院上海技术物理研究所,中科院上海技术物理研究所,中科院上海技术物理研究所,中科院上海技术物理研究所,中科院上海技术物理研究所,中科院上海技术物理研究所

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Grant No. 2013CB922302;Grants No. 11374320 and No. 11104301;13JC1406000 and 14JC1406500


Asymmetric capacitance-voltage curves induced by pinned interface dipoles in poly(vinylidene fluoride/trifluoroethylene) capacitor
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shanghai institute of technical physics,shanghai institute of technical physics,shanghai institute of technical physics,shanghai institute of technical physics,shanghai institute of technical physics,Shanghai Institute of Technical Physics,shanghai institute of technical physics,jlsun@mail.sitp.ac.cn,jlsun@mail.sitp.ac.cn

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    摘要:

    通过研究Au/P(VDF-TrFE)/Al 电容器的变温(200 K 到310 K)电容-电压曲线,室温下观察到两个极化方向下的电容不对称,这个现象可以应用于非挥发性存储器.电容不对称程度随着温度的降低而变小,当温度低于230 K,电容不对称现象消失.P(VDF-TrFE)与Al电极之间的界面极化层可以解释观察到的电容不对称现象.

    Abstract:

    The capacitance-voltage (C-V) curves of Au/P(VDF-TrFE)/Al capacitor were investigated from 200 K to 310 K. An asymmetry of capacitance value at 0 bias voltage under two polarization orientations was observed at room temperature region, which can be applied in the field of non-volatile memory. The capacitance asymmetry decays with reduced temperature and disappears as the temperature is below 230 K. The phenomena is attributed to a pinned dipole layer between P(VDF-TrFE) films and Al metal electrode.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

刘伯路,田博博,赵晓林,王建禄,孙硕,沈宏,孙璟兰,孟祥建,褚君浩.(英)界面极化层引起P(VDF-TrFE)电容器的电容-电压的不对称[J].红外与毫米波学报,2016,35(2):143~146]. LIU Bo-Lu, TIAN Bo-Bo, ZHAO Xiao-Lin, WANG Jian-Lu, SUN Shuo, SHEN Hong, SUN Jing-Lan, MENG Xiang-Jian, CHU Jun-Hao. Asymmetric capacitance-voltage curves induced by pinned interface dipoles in poly(vinylidene fluoride/trifluoroethylene) capacitor[J]. J. Infrared Millim. Waves,2016,35(2):143~146.]

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  • 收稿日期:2015-08-27
  • 最后修改日期:2015-12-21
  • 录用日期:2015-10-26
  • 在线发布日期: 2016-05-11
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