摘要:现有集成式红外偏振探测器盲元检测主要依据GB/T 17444-2013中的判别方法获取死像元与过热像元,从而进行盲元替代,但是实际使用过程中,探测器的某些像元对偏振光无法进行正常响应,这些元无法通过国标进行剔除,严重影响成像质量,因此需要在原有的盲元检测方法基础上叠加一种偏振盲元检测方法,从而更加精准的对偏振红外探测器进行盲元评价。针对上述问题,本文提出了一种依据消光比获得偏振盲元的方法,从而可以精确实现对偏振器件偏振盲元与常规过热像元、死像元的多维度同时检测。

摘要:随着太赫兹技术的发展，太赫兹传输波导器件的研究成为待解决的重要问题之一。太赫兹波位于微波与红外光之间，寻找高效的传输、耦合器件一直是研究人员的目标。主要介绍了太赫兹传输波导研究现状，并总结了各类型太赫兹波导的优势与不足。根据材料与结构分别对金属波导、介质波导的研究进展进行了分析。其中金属波导包括裸金属线波导、微结构波导、空芯波导以及平板波导，介质波导包括介质空芯波导、多孔芯波导以及微结构波导。最后分别对太赫兹传输波导未来需要解决的研究方向进行了展望。

摘要:二氧化硅(SiO₂)薄膜因其卓越的光学性能，在半导体器件、集成电路、光学涂层等领域具有巨大的应用潜力。然而，SiO₂薄膜制备过程中面临表面粗糙度、杂质控制和致密性等问题。为解决这些问题，研究者们通过工艺改进和表面修饰等手段来提高SiO₂薄膜的性能。在众多SiO₂薄膜制备技术中，等离子体增强化学气相沉积(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD)技术由于沉积SiO₂薄膜所需温度低、原位生长等优势，成为制备SiO₂薄膜最常用的方法。综述了用PECVD技术制备SiO₂薄膜的发展历程，并探讨了关键工艺参数和后处理工艺对薄膜质量的影响。对PECVD技术的深入研究，有助于实现对SiO₂薄膜生长的更精准控制，进一步拓展其广泛的应用前景。

摘要:现有红外偏振探测器盲元检测主要依据GB/T 17444-2013中的判别方法，这会忽略对某些无法正常响应偏振光的异常像元的统计。这些像元无法通过国标剔除，严重影响成像质量，因此需要在原有盲元检测方法的基础上叠加一种偏振盲元检测方法，从而更精准地对偏振红外探测器进行盲元评价。提出了一种通过依据电动起偏器进行消光比测试来获得偏振盲元的方法，可以极大程度地减小由内部偏振角度刻蚀带来的测试误差，同时可以实现对偏振器件偏振盲元与常规过热像元、死像元的多维度同时检测。利用本单位自行研制的320×256探测器进行实验验证。采用国标识别的盲元数量为1010个；引入偏振盲元后，盲元数量为1178个，总体盲元数量比前者增加了0.2%。

摘要:分置式斯特林制冷机作为红外探测器组件的重要组成部分，在实际应用中对红外探测器组件的性能影响较大。其中，分置式斯特林制冷机与杜瓦耦合时的耦合间隙是对红外探测器组件的性能影响最大的因素之一。因此针对二者的耦合间隙对探测器性能的影响进行了实验研究。当芯片温度为75 K且制冷机的冷头温度为70 K时，模拟仿真冷指与杜瓦的变形量，耦合间隙变形为0.0096 mm。低温环境对制冷机冷指与杜瓦变形的影响较小，可以忽略冷指与杜瓦变形对耦合间隙的影响。实验结果表明，红外探测器组件的降温时间随耦合间隙的增大而逐渐增大。随着时间的逐渐增大，不同耦合间隙对应的直流电流也各不相同。同一时刻下，耦合间隙越小，直流电流就越小。二极管电压随时间的增加呈现出逐渐增大并逐渐平稳的状态。在达到控温状态前，同一时刻下，耦合间隙越小，二极管电压越大。

摘要:针对类美国末段高空域防御(Terminal High Altitude Area Defense, THAAD)系统的红外导引头外形，开展了气动光学效应计算分析，并将其用于飞行器设计。利用国家数值风洞工程高速流场计算软件NNW-HyFLOW，考虑热化学非平衡效应和材料传热耦合效应，对导引头典型状态的流场进行了模拟，获得了流场的密度、温度、压力等参数和窗口的温度场参数。基于流场参数，利用HyFLOW气动光学传输效应计算功能，开展了红外光学传输成像计算；利用HyFLOW气动光学辐射效应计算模块，开展了流场和光学窗口的热辐射计算。计算结果表明，类THAAD导引头在30 km以上飞行时，流场和光学窗口基本不会影响目标信号的光学传输成像，但流场和窗口的热辐射效应会对导引头识别目标造成影响。不过随着飞行高度的升高，这种影响会减小。