摘要:红外探测技术现已普及多种领域，受到了世界各国的重视。热释电材料作为其核心灵敏元材料之一，已成为近年来电介质物理与材料研究的热点。作为一种典型的铁电材料，钛酸铋钠基陶瓷因其较高的退极化温度与较大的热释电系数受到了广泛的重视。总结了钛酸铋钠基热释电陶瓷的研究现状，归纳了在不同组元中增强热释电效应的手段，并进行了性能比较。结果表明，通过单组元受主掺杂可以获得兼具较高退极化温度与较大热释电系数的无铅陶瓷材料。最后对目前存在的一些问题进行了讨论。

摘要:红外探测系统的快速发展促进了对红外隐身材料的广泛研究。红外隐身材料主要是对目标的红外辐射能进行调控，主要措施是控制目标表面红外发射率和目标表面温度，使目标与背景环境的辐射能相融合，进而达到隐身的目的。概述了红外隐身的基本原理，综述了低发射率涂层材料、控温涂层材料和智能隐身材料等红外隐身材料近几年的国内外研究现状，并展望了红外隐身材料的未来。

摘要:对碲镉汞p-on-n双层异质结材料的表面缺陷进行了研究。材料表面缺陷会对后续器件的性能产生影响。利用光学显微镜观察外延完的材料表面，发现表面不规则块状缺陷和表面孔洞缺陷较为常见。使用共聚焦显微镜、扫描电子显微镜、能谱分析等测试手段分析发现，缺陷的形成原因是p型层生长过程中镉耗尽以及n型层生长过程中产生缺陷的延伸。

摘要:锑化铟是中波红外探测应用较广的材料。抛光片的表面粗糙度是影响器件性能的关键指标。研究了锑化铟化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing, CMP)液的pH值、氧化剂比例以及抛光液流速对锑化铟抛光片表面粗糙度的影响，并结合原子力显微镜(Atomic Force Microscope, AFM)和表面轮廓仪测试对抛光片的表面粗糙度进行了表征和优化。结果表明，当pH值为8、氧化剂比例为0.75%、抛光液流速为200 L/min时，InSb晶片的表面粗糙度为1.05 nm (AFM)，同时晶片的抛光宏观质量较好。

摘要:随着InSb红外探测器关键尺寸的不断缩小，钝化膜应力的大小对器件I-V性能的影响越发明显。为了降低探测器芯片的应力，研究了一种由SiO₂ 和SiON组成的复合钝化膜体系。通过改变气体的射频时间，在InSb晶片上淀积厚度分别为300 nm、500 nm、700 nm和900 nm的钝化膜，测量并计算了不同厚度钝化膜的应力。当厚度为700 nm时，钝化膜的应力最小值为－1.78 MPa。研究了具有不同应力钝化膜的器件的I-V特性，发现厚度为700 nm时InSb芯片具有更加优异的I-V特性。通过调整复合钝化膜的厚度，降低了钝化膜的应力，有效地提升了InSb探测器的性能。

摘要:利用严格耦合波理论和时域有限差分方法设计了一种应用于940 nm垂直腔面发射激光器的Si基零折射率对比度光栅反射镜。对零对比度亚波长光栅(Zero-index-Contrast subwavelength Grating, ZCG)的高反射特性进行了研究，分析了ZCG实现宽带高反射的条件。此外，讨论了光栅结构参数对反射性能的影响并计算了制作公差，模拟分析了ZCG尺寸与垂直腔面发射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser, VCSEL)氧化孔径尺寸对镜面损耗的影响。所设计的ZCG带宽可达280 nm, Δλ/λ₀=29.8%。该反射镜可以替代VCSEL中传统的分布式布拉格反射镜，降低了工艺难度和生长成本，同时有利于VCSEL与其他Si基光电子器件的集成。

摘要:在钻井过程中，水基钻井泥浆会透过泥饼渗入地层从而污染地层水。为了取得纯净的地层水样品，需要对其污染程度进行实时监测。取样前，流体由水基泥浆滤液逐渐过渡到纯净地层水，通过获取滤液、纯地层水以及混合流体的吸光度可实时计算地层水受到污染的程度。鉴于井下地层水污染率在线监测可看作时间序列预测问题，采用了Elman神经网络模型对吸光度数据进行训练，从而预测纯地层水吸光度。采用海上实井数据进行了验证，将基于Elman神经网络预测得到的地层水吸光度与泵抽初期采集的钻井液泥浆滤液吸光度相结合，可以计算出实时的地层水污染率，并将其与实验室水分析结果进行了对比。结果表明，它们的一致性很好。与传统算法相比，新方法高效可靠，具有广泛的适用性和较好的应用价值。