摘要:利用热原子层沉积（Atomic Layer Deposition, ALD）技术在不同深宽比GaAs衬底上进行了Al2₂O₃/HfO₂复合薄膜的沉积。通过对其表面和能谱进行分析发现，沉积温度对复合薄膜的摩尔比具有较大的影响。随着深宽比的增大，其沉积表面和沟槽内会出现残留物；随着ALD沉积温度的上升，其沉积表面和沟槽内的残留物减少，摩尔比趋向均匀。当深宽比为2.2并利用150 ℃的低沉积温度时，表面及底面基本无残留物。但当深宽比为4.25时，150 ℃沉积明显有大量残留物。只有当温度升高到300 ℃时，表面和沟槽里复合薄膜的残留物才被明显消除。ALD技术可以实现各种器件结构的全方位钝化，这是其他化学气相沉积法无法比拟的。

摘要:对影响Hg_1-xCd_xTe红外探测器性能的不同调控技术——包括材料调控(组分及温度、掺杂浓度、压强及应力等对材料性能的调控)、器件结构调控(n-on-p、p-on-n、p-i-n、n-B-n等器件结构的调控)和工艺调控(各种工艺调控对材料制备和器件制备等的影响)等——进行了简单介绍，以合理调控器件性能、有效降低器件暗电流、提高器件工作温度等，从而促进Hg_1-xCd_xTe红外探测器在降低成本、减小功耗、提高可靠性等方面的发展。

摘要:主要介绍了II类超晶格探测器芯片双波段背增膜在探测器中的作用及其膜系设计与制备工艺。该膜的作用是减小探测器芯片表面在响应波段(3～5 μm及7～9 μm)对红外光的反射率，增强芯片的光响应率，从而提高芯片性能。研究并解决了背增膜在设计与制备工艺中的主要技术问题。根据探测器的使用环境对薄膜进行了相应的牢固性实验及测试。结果表明，此薄膜的光谱响应率和牢固度能充分满足探测器的要求。目前这项背增透薄膜制备工艺已是II类超晶格探测器生产中不可缺少的工艺步骤，应用前景良好。

摘要:芯片制备工艺完成后，给芯片留有一定厚度的衬底，同时利用丝切割技术将多余的碲锌镉衬底取下，并对其进行重复抛光处理。碲锌镉衬底的锌值分布及半高宽(Full Width at Half Maximum, FWHM)测试结果表明，碲锌镉衬底质量较好，可以再次用来制备液相外延碲镉汞薄膜。该薄膜经过标准探测器芯片工艺后，性能合格。该研究使原本要完全去除的衬底得以重复利用，提高了碲锌镉衬底的利用率，降低了探测器的制造成本。

摘要:针对远红外探测器衬底制造对高品质碲锌镉单晶材料的需求，为了满足高品质碲锌镉单晶生长对高纯度原材料的需要，基于区熔提纯原理与工艺实现方法设计出一种由区熔炉炉体、移动加热装置、气路系统和电气控制系统等组成的分布式碲锌镉晶体制备材料区熔提纯炉。采用氢气除杂、氮气保护和伺服机构控制加热温度场移动的方法来实现区熔提纯。在区熔窄区宽度为15 mm和倾斜角度为7°的条件下，开展了碲、锌和镉等原材料的区熔提纯实验。结果表明，当加热温度高于材料熔点50 K且移动速度为0.006 mm·s^-1时，区熔加热装置往复移动10次以上，可将碲锌镉晶体制备所需的原材料纯度由6N (99.9999%)提高到7N (99.99999%);分布式碲锌镉晶体制备材料区熔提纯炉的加热温度、加热装置移动速度和移动稳定性较好。

摘要:针对飞行员的飞行训练任务进行了飞机的稳定跟踪。为了解决远距离下飞机目标小、天气环境复杂、飞鸟干扰等问题，提出了一种基于深度学习和相关滤波的飞机跟踪测量方法。首先选取骨干网络并建立深度学习的算法模型，接着利用大量飞机图像得到用于实际场景的参考模型，再将模型检测到的特征与相关滤波结合，从而达到飞机的稳定跟踪效果并生成目标脱靶量。然后根据跟踪和脱靶量信息，开启激光器并利用激光测距原理来测量飞机的实时距离。最后进行基于光电经纬仪的飞机捕获与跟踪实验，以验证模型和算法的有效性和可行性。实验结果表明，通过深度学习和相关滤波获得的目标信息可以用于远距离飞机的捕获与跟踪，成功地消除了复杂环境和飞鸟的干扰，实现了飞机的稳定跟踪。