用CMOS工艺方法制作的低成本非致冷红外探测器(下)
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TN215 TM621

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    二极管型探测器的直流响应率由下式给出:式中,η为吸收系数,Gth为热导率,dVD/dT为二极管正向电压的温度系数,Ibias 为直流偏置电流,Rconnect 和 αconnect 分别为互连电阻和互连电阻的温度系数值。与电阻型探测器的情况相似,括号中的项表示探测器电压的有效温度系数,最后一项的分母中有一个倍数2以便把沿支撑臂上互连电阻的温度梯度效应也考虑进去。

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顾聚兴.用CMOS工艺方法制作的低成本非致冷红外探测器(下)[J].红外,2005,(2):44-47.

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