负阻发光二极管的结构原理及应用

负阻发光二极管的结构原理及应用
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中图分类号:TN312.8
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负阻发光二极管是一种p-n-p-n四层结构的半导体发光器件．它具有负阻特性，故其有开关特性．硅四层结构器件如接成三端形式，便是可控硅器件．如果发光二极管所用的晶体做成两端p-n-p-n器件，就可获得负阻特性并在通态发光．以下，介绍其结构原理及应用．

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参考文献

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引证文献

秉时.负阻发光二极管的结构原理及应用[J].红外,2004,(8):48-.

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